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            熱阻測試系統
            適用各種封裝外形的二極管、三極管、整流橋、SCR、MOSFET、IGBT的K系數測試和熱阻測試。
            主要技術參數:
            測試電流IM:1~200mA??刂凭龋骸?%±0.1mA;
            正向加熱電流IT:1~100A??刂凭龋骸?%±0.1A;
            正向壓降VF測量范圍:0.0000V~8.0000V 。測量精度:±0.01%±0.0001V,顯示精度:0.0001V;
            溫度測量范圍(TA、Ta、TC、TL):10.0℃~199.9℃。測量精度:±0.2%±0.2℃,顯示精度:0.1℃;
            測試取樣間隔時間:1~10S。分辯率:1S;
            M與IT的轉換間隔時間:200uS~1000uS。分辯率:1uS;
            可控硅IGT觸發電流:0~100mA。分辯率:0.1mA;
            IGBT的Vge電壓:0~15V。分辯率:0.1V。
            heating
            高溫加熱
            內部加熱 保持不壞
            真金不怕火煉,超強耐高溫
            超級耐高溫
            保持高品質
            內部加熱原理
            服務熱線
            0571-8585 6333
            聯系郵箱:gk@hzgkdz.com
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